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LED藍(lán)白光技術(shù)與產(chǎn)業(yè)

    作者:宏拓新軟件
    發(fā)布日期:2009-04-28         
閱讀:18     
 
 

從全球LED大廠在藍(lán)白光LED發(fā)展趨勢(shì)可以看出,目前各廠商開(kāi)始往紫外光加上螢光粉發(fā)出白光來(lái)發(fā)展,而紫外光LED以美國(guó)Cree所做的紫外光LED技術(shù)層級(jí)最高,其發(fā)光效率已達(dá)21 lm/W(目前市售藍(lán)光LED約為4 lm/W)。但以紫外光專利數(shù)來(lái)看,目前研究紫外光LED專利數(shù)目最多的是日本,因此我們認(rèn)為日本的Toyoda GoselNichia在白光亮度後來(lái)居上的機(jī)會(huì)最大。在單價(jià)方面,日本希望持續(xù)降低藍(lán)光LED晶粒的售價(jià)到5元日幣以下,換算臺(tái)幣約1~2元左右,可預(yù)見(jiàn)未來(lái)藍(lán)光LED仍有50%的下降空間。

就國(guó)內(nèi)廠商的技術(shù)方面,國(guó)內(nèi)上游廠商為了生產(chǎn)藍(lán)光LED,所用的基板主要都以藍(lán)寶石為主。若以MOCVD機(jī)臺(tái)數(shù)來(lái)看,國(guó)聯(lián)的機(jī)臺(tái)數(shù)目較多,而未來(lái)MOCVD機(jī)臺(tái)技術(shù)會(huì)往增加片數(shù)(6片增加到20)或增加尺吋(4吋或8)來(lái)發(fā)展。在下游封裝技術(shù)方面,主要的技術(shù)難度在如何耐高電流、具高散熱性及提高發(fā)光的亮度,所以發(fā)展出「低接觸阻抗電極」、「耐熱抗UV樹(shù)脂材料」來(lái)耐高電流及提高散熱性,並藉「高反射率」、「高效率的螢光體合成法」以及「照明設(shè)計(jì)」等技術(shù)來(lái)提高發(fā)光亮度。

LED技術(shù)簡(jiǎn)介:

壹、發(fā)光二極體(LED)發(fā)光原理

發(fā)光二極體(LED)是利用半導(dǎo)體中電子與電洞結(jié)合時(shí),過(guò)剩的能量會(huì)以光的形式釋放,而不同的材料會(huì)發(fā)出不同的波長(zhǎng),也就會(huì)看到不同顏色的光。由表一可以看到,我們可以藉由混晶比例來(lái)調(diào)整要發(fā)出的波長(zhǎng),但不同材料會(huì)受本身禁制帶寬度的限制,所以能控制的光波長(zhǎng)也有一定的限度。我們由公式及表一得知,當(dāng)禁制帶寬度(El)越大,則發(fā)出的波長(zhǎng)越短,發(fā)光顏色會(huì)偏向藍(lán)光及紫光,而GaN的禁制帶寬度為3.39eV,因此通常用GaN來(lái)做藍(lán)光的磊晶材料。

 

 

 

表一 各材料禁制帶寬度比較

材料

禁制帶寬度(eV)

發(fā)光波長(zhǎng)

發(fā)光顏色

GaAs

1.35

940

接近紅外線

GaP

2.26

700

565

555

純綠

GaAs1-xPx/GaAs

 1.42~2.26

660

GaAs1-xPx/ GaP

630

610

590

Ga1-xAlxAs

1.42~2.26

660

GaN

3.39

400

藍(lán)、紫

 

貳、白光LED發(fā)光原理

發(fā)出白光的方式主要可分成兩種(見(jiàn)表二),一種是單晶型,這種方式與日光燈的發(fā)光方式一樣,就是把藍(lán)光加上黃色螢光粉或紫外光LED加上RGB三波長(zhǎng)螢光粉來(lái)產(chǎn)生白光。另一種是多晶型,即利用互補(bǔ)的2色或把3原色做混光而形成白光。若採(cǎi)用多晶型的方式,基於不同LED的驅(qū)動(dòng)電壓、發(fā)光輸出、溫度特性及壽命各不相同,因此造成用此方法會(huì)有很多要控制的因素,也使得所產(chǎn)生的成本亦較高;若採(cǎi)用單晶型,則只要用一種元素即可,而且在驅(qū)動(dòng)回路上的設(shè)計(jì)會(huì)較為容易,因此,可以發(fā)現(xiàn)目前多數(shù)廠商較傾向往單晶型的方式來(lái)做研發(fā)的方向。

表二 白光發(fā)光原理

方式

激發(fā)源

發(fā)光元素與螢光材料

發(fā)光原理

單晶型

藍(lán)色LED

InGaN/YAG黃色螢光粉

以藍(lán)色光激發(fā)螢光粉(黃色發(fā)光)

紫外光LED

InGaN/RGB三波長(zhǎng)螢光粉

以紫外光激發(fā)RGB螢光粉(原理同螢光燈)

多晶型

藍(lán)色LED

黃綠色LED

藍(lán)綠色LED

橙色LED

InGaN

GaP

AlInGaP

將互補(bǔ)的2色裝成一組

藍(lán)色LED

綠色LED

紅色LED

InGaN

AlInGaP

AlGaAs

3原色裝成一組

 

參、LED衡量單位簡(jiǎn)介

LED技術(shù)領(lǐng)域可看到許多的衡量單位常常讓人搞不清要如何衡量,因此我們先就這些衡量單位作一個(gè)簡(jiǎn)單的介紹(見(jiàn)表三)。在上游的晶片(Wafer)磊晶的部份,通常會(huì)衡量該晶片磊晶完後的波長(zhǎng)及均勻度等;到晶粒(Chip)部份,則要衡量該晶粒能夠發(fā)的光的亮度如何,因此我們通常用mWmcd(毫燭光)來(lái)衡量;到下游封裝完後,要衡量封裝完後該LED的亮度則常用cd(燭光)mcd(毫燭光)來(lái)衡量。而白光照明衡量單位較為特殊,我們常用lm/W(流明/)來(lái)衡量。

表三 LED亮度衡量單位

產(chǎn)業(yè)鏈

項(xiàng)目

衡量單位

上游

晶片(Wafer)

衡量波長(zhǎng)、均勻度

中游

晶粒(Chip)

mWmcd(毫燭光)

下游

Lamp

cd(燭光)mcd(毫燭光)

應(yīng)用

白光照明

lm/W(流明/)


註:鎢絲燈泡約6lm/W,日光燈約在45 lm/W

 

壹、LED主要大廠技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)

一、往藍(lán)光、紫外光及白光LED來(lái)發(fā)展

由表四我們可以發(fā)現(xiàn),各廠商主要都先從藍(lán)光LED開(kāi)始研發(fā)及量產(chǎn),有了藍(lán)光的技術(shù)之後再開(kāi)始研發(fā)白光LED,然而目前最常用藍(lán)光加上黃色螢光粉來(lái)產(chǎn)生白光,但是用藍(lán)光LED來(lái)發(fā)白光的發(fā)光效率仍然不足,因此另外一個(gè)方向就是往紫外光LED來(lái)發(fā)展,利用紫外光加RGB三波長(zhǎng)螢光粉來(lái)達(dá)到白光的效果,其發(fā)光效率比藍(lán)光好上許多,研究顯示若發(fā)光波長(zhǎng)能到254nm,則可以不加螢光粉也能自發(fā)白光。目前紫外光LED以美國(guó)Cree所做的紫外光LED技術(shù)層級(jí)最高,已達(dá)21 lm/W(目前市售藍(lán)光LED約為4 lm/W),這樣的研發(fā)進(jìn)度超乎原先預(yù)期,因此預(yù)估白光LED要取代照明很可能在十年內(nèi)發(fā)生。

未來(lái)在照明市場(chǎng)可取得一席之地的國(guó)家,我們以研究紫外光LED專利數(shù)來(lái)觀察,認(rèn)為日本的機(jī)會(huì)最大。就專利數(shù)來(lái)看,日本的專利數(shù)目最多,發(fā)展的專利件數(shù)達(dá)105件,佔(zhàn)全球紫外光LED專利數(shù)的86%,若以各別廠商來(lái)看,可以發(fā)現(xiàn)以Toyoda GoselNichia發(fā)展的最積極,紫外光LED的專利數(shù)分別為15件及11件。若我們仔細(xì)分別這些紫外光LED專利,可以發(fā)現(xiàn)所著重的技術(shù)並不相同,以元件結(jié)構(gòu)的專利比重最大,佔(zhàn)56%,而製程技術(shù)佔(zhàn)19%、元件組裝佔(zhàn)16%、磊晶技術(shù)只佔(zhàn)9%。所以就專利數(shù)來(lái)看,紫外光LED的廠商以Toyoda GoselNichia最有後來(lái)居上的可能。

二、近期發(fā)展藍(lán)光及紫光雷射二極體(LD)

雷射二極體可應(yīng)用的範(fàn)圍很廣,包括光通訊、光儲(chǔ)存、醫(yī)學(xué)、影像記錄及感測(cè)器等市場(chǎng),目前應(yīng)用領(lǐng)域最主要是光通訊及光儲(chǔ)存。雷射二極體最常見(jiàn)的是紅光LD,而現(xiàn)在最新發(fā)展的是藍(lán)光及紫光LD,藍(lán)光及紫光LD對(duì)儲(chǔ)存媒體的影響很大,可使CD-RDVD-R有更大的儲(chǔ)存能力,可使DVD儲(chǔ)存能力高達(dá)20GB。因此ELSEVIER該研究單位認(rèn)為從2002年到2005年每年會(huì)有22.5%的複合成長(zhǎng)率,其成長(zhǎng)空間很大。

就技術(shù)能力來(lái)看,紫光LD技術(shù)能力最好的是Nichia,目前已可生產(chǎn)30mW的紫光LD。另外Toyoda Gosel有生產(chǎn)藍(lán)紫光LD發(fā)光功率為3mW,而CREE也有藍(lán)光LD發(fā)光功率約3mWToyoda Gosel相差不多。

表四 世界LED大廠技術(shù)動(dòng)向

廠商

技術(shù)動(dòng)向

現(xiàn)況及發(fā)展

Nichia

1989 MOCVD

1993藍(lán)光LED

1995綠光LED

1996白光LED

1997紫外光LED

1998黃光(GaN)LED

1999紫光LD(5mW)

2000紫光LD(30mW)

.主力產(chǎn)品:擁有InGaN的藍(lán)光及綠光LED專利。

.市場(chǎng):以日本市場(chǎng)為主。 

2001年:白光每月產(chǎn)能9900萬(wàn)顆

Toyoda Gosel

1986藍(lán)光LED研發(fā)

1995藍(lán)光LED量產(chǎn)(2cd)

1999 Flip Chip

2000紫光LED

2001白光LED

2001藍(lán)紫光LD(3mW)

 

.主力產(chǎn)品:專注在InGaN的生產(chǎn)

.白光:與Toshiba合作白光LED,晶粒由Toyoda Gosel製造,封裝則由Toshiba負(fù)責(zé)。

.市場(chǎng):主要銷往汽車用車燈、儀表板被光源及彩色螢?zāi)恍袆?dòng)電話的背光源

LumiLeds

2001藍(lán)光LED(200mW)

2001白光LED (17lumens)

2002白光LED(5W)

.主力產(chǎn)品:InGaAlP四元高亮度LED

2001年:白光每月產(chǎn)能300萬(wàn)顆

CREE

1989藍(lán)光LED

1998綠光LED

2000成立CREE

2000藍(lán)光LD(3mW)

2001紫外光LED(21lm/W)

.主力產(chǎn)品:藍(lán)綠光高亮度LED材料及元件,白光LED

.率先發(fā)展SiC基板

OSRAM Opto Semiconductors

1999ATON Chip(5mW)

2000(8mW)

2001PLED

.歐洲最大高亮度LED廠商

.以碳化矽(SiC)基板供應(yīng)藍(lán)光LED產(chǎn)品

.市場(chǎng):以歐洲為主,應(yīng)用以汽車方面最重要,目前歐系車廠如:Mercedes、BMWAudi、Volkswagen為其客戶

2001年:白光每月產(chǎn)能200萬(wàn)顆

貳、各國(guó)未來(lái)LED發(fā)展方向

我們觀察各國(guó)在LED的投入及發(fā)展方向可以發(fā)現(xiàn)(見(jiàn)表五),主要著重在材料以及製程技術(shù)的研發(fā),並且以美國(guó)及日本較為積極,因其訂出的研究項(xiàng)目及技術(shù)指標(biāo)較為明確,投入的資金也相對(duì)較大,參與廠商也是各世界重量級(jí)的廠商,所以我們認(rèn)為在未來(lái)5~10年仍然是以美日在LED市場(chǎng)的領(lǐng)先者。

以各國(guó)規(guī)劃的進(jìn)度來(lái)看,在白光發(fā)光效率方面,因?yàn)榘坠?/SPAN>LED的發(fā)光效率要超過(guò)100lm/W以上才能進(jìn)入廣大的照明市場(chǎng),對(duì)目前的日光燈(60~100lm/W)才有取代的效果,所以各國(guó)均以達(dá)到100lm/W以上為目標(biāo)。就單價(jià)來(lái)看,日本希望持續(xù)降低藍(lán)光LED晶粒的售價(jià)到5元日幣以下,換算臺(tái)幣約1~2元左右,可預(yù)見(jiàn)未來(lái)藍(lán)光LED仍有50%的下降空間。

表五 各國(guó)未來(lái)十年LED發(fā)展計(jì)劃

國(guó)家別

研究項(xiàng)目

白光LED技術(shù)指標(biāo)

美國(guó)

2003~2011

5000萬(wàn)美元

9

參與廠商:16

.技術(shù)研發(fā)

透明基板

金屬接觸層

有機(jī)發(fā)光材料

MOCVD

元件模板

光粹取出

最佳光亮度

CRI

.示範(fàn)推廣

建立新照明業(yè)結(jié)構(gòu)

多晶粒封裝

VCSEL

奈米量子點(diǎn)

提高外部量子效率到200lm/W

低成本製造技術(shù)

發(fā)光效率

2012年:

150lm/W, 1,000lumens

壽命

>10,000hrs

單價(jià)

<15美元/klm

其它

CRI(點(diǎn)射性)>80

日本

1998~2003

12億日幣

5

參與廠商:13

材料特性發(fā)光機(jī)構(gòu)

結(jié)晶基板

結(jié)晶成長(zhǎng)製程

螢光體及照明燈具

LED燈具標(biāo)準(zhǔn)制訂

發(fā)光效率

2010120lm/W

壽命

>20,000小時(shí)

單價(jià)

<5日幣/chip

其它

2003~2005年商品化量產(chǎn)

2007~2016年普及化推動(dòng)

外部量子效率>40%,CRI=83

韓國(guó)

1999~2004

40億韓幣

5

白光LED(藍(lán)光+螢光體)

白光LED(RGB三發(fā)光層,無(wú)螢光體)

2010>100 lm/W

歐洲

1997~2000

85.7萬(wàn)歐元

3.5

高亮度戶外照明光源

400~590nm4cd超高亮度藍(lán)光LED

AlInGaN Alloy製程及多層MOCVD材料

降低III族氮化合物磊晶沉積之前製程和III-V族材料比率至1001

 

香港

2001~2004

550萬(wàn)港幣

3

LED

GaN MOCVD磊晶及製程

Flip Chip

封裝

 

 

 

國(guó)內(nèi)技術(shù)狀況:

壹、上中游關(guān)鍵技術(shù)發(fā)展

上中游生產(chǎn)製程如下:LED上游是先從單晶片作為成長(zhǎng)用的基板,再利用各種的磊晶成長(zhǎng)法(LPE、MOCVD、MBE)做成磊晶片,把這些磊晶片送給中游製作電極,進(jìn)行平臺(tái)蝕刻後切割磊晶片,最後再將磊晶片崩裂成單顆晶粒。

LED產(chǎn)業(yè)價(jià)值鍵中,以上游的技術(shù)層次最高,且常面臨專利權(quán)的問(wèn)題,另外,有些原料均需由國(guó)外進(jìn)口,如基板及有機(jī)金屬等,以基板為例,要採(cǎi)用哪一種基板也會(huì)影響後續(xù)要避開(kāi)哪些專利、要使用哪種技術(shù)以及影響產(chǎn)品的亮度及波長(zhǎng)。

以下就一些上中游的關(guān)鍵技術(shù)做詳細(xì)的闡述:

一、基板

現(xiàn)今藍(lán)光LED常用的基板主要有兩種(見(jiàn)表六),一是Nichia所主張藍(lán)寶石,二是Cree所推行的SiC,就成本方面,使用藍(lán)寶石的基板成本較使用SiC高,且硬度較高不易切割,但在穩(wěn)定性與晶格配合上則是藍(lán)寶石優(yōu)於碳化矽,其各自有其優(yōu)缺點(diǎn)。雖然SiC基板價(jià)格較藍(lán)寶石基板貴,但是SiC能以較低的成本形成共振面,所整體成本比藍(lán)寶石低,且其散熱性較佳,磊晶過(guò)程速度也較快,但最大的缺點(diǎn)是先天上與GaN的晶格不符。

國(guó)內(nèi)上游廠商為了生產(chǎn)藍(lán)光LED,所用的基板主要都以藍(lán)寶石為主,主要原因是除了SiC基板與GaN的晶格不符之外,另外是因?yàn)閲?guó)內(nèi)藍(lán)光LED主要是用在手機(jī)上,所以就操作電壓的考量下,進(jìn)而選擇藍(lán)寶石基板。

表六 基板優(yōu)缺點(diǎn)比較表

 

優(yōu)點(diǎn)

缺點(diǎn)

藍(lán)寶石

穩(wěn)定性佳

晶格配合佳

成本較高

不易切割

碳化矽(SiC)

磊晶過(guò)程速度較快

放熱性較佳

具成本優(yōu)勢(shì)

基板先天上與GaN晶格不符

二、磊晶方法

LED的主要磊晶方法有LPE(液相磊晶法)VPE(氣相磊晶法)MOCVD(有機(jī)金屬氣相磊晶法)(見(jiàn)表七)。磊晶關(guān)心的重點(diǎn)有磊晶長(zhǎng)成的速度、量產(chǎn)能力、磊晶薄度及平整度的控制能力如何,由這幾個(gè)方面加以比較我們可以發(fā)現(xiàn),LPEVPE的磊晶長(zhǎng)成的速度和量產(chǎn)能力較MOCVD佳,但在磊晶薄度及平整度的控制能力就不如MOCVD好,但是MOCVD有成本較高,良率低而且原料取得不易等缺點(diǎn);兑陨弦蛩,造成在不同的產(chǎn)品所應(yīng)用的磊晶方法也不同(見(jiàn)圖一),在傳統(tǒng)亮度的LED(GaP、GaAsPAlGaAs)常用LPE(液相磊晶法),若是高亮度LED(AlGaInPGaN)則要求的品質(zhì)較為嚴(yán)格,因此則要用MOCVD(有機(jī)金屬氣相磊晶法)

由圖一可知靠氮化物(GaN)為材料的磊晶方式則要藉由MOCVD磊晶技術(shù),因?yàn)槟壳八{(lán)、白光為各家廠商發(fā)展的重點(diǎn),因此氮化物的MOCVD磊晶技術(shù)為主流。而國(guó)內(nèi)上游的上市櫃廠商主要有國(guó)聯(lián)和晶電,以下就國(guó)聯(lián)和晶電所採(cǎi)用的基板及MOCVD機(jī)臺(tái)數(shù)做一比較。

表七 各種磊晶方法比較

磊晶方法

特色

優(yōu)點(diǎn)

缺點(diǎn)

主要應(yīng)用

LPE

(液相磊晶法)

以熔融態(tài)的液體材料直接和基板接觸而沉積晶膜

操作簡(jiǎn)單

磊晶長(zhǎng)成速度

具量產(chǎn)能力

磊晶薄度控制差

磊晶平整度差

傳統(tǒng)LED

VPE

(氣相磊晶法)

以氣體或電漿材料傳輸至基板,促使晶格表面粒子凝結(jié)或解離

磊晶長(zhǎng)成速度

量產(chǎn)能力尚可

磊晶薄度及平整度控制不易

傳統(tǒng)LED

MOCVD

(有機(jī)金屬氣相磊晶法)

將有機(jī)金屬以氣體型式擴(kuò)散至基板,促使晶格表面粒子凝結(jié)

磊晶純度佳

磊晶薄度控制

磊晶平整度佳

成本較高

良率低

原料取得不易

HB-LED

LD

VCSEL

HBT

 

圖一 各材料的磊晶技術(shù)及發(fā)光顏色比較圖

目前藍(lán)光LED仍然供不應(yīng)求,所以國(guó)內(nèi)上游廠商持續(xù)投入MOCVD機(jī)臺(tái)來(lái)擴(kuò)充產(chǎn)能,由表八可知,目前晶電藍(lán)光LED用的MOCVD機(jī)臺(tái)數(shù)有7臺(tái),其中有一次可磊晶6片的,也有11片的MOCVD機(jī)臺(tái),預(yù)計(jì)在10月會(huì)再進(jìn)一臺(tái)20片的MOCVD機(jī)臺(tái)。而國(guó)聯(lián)目前MOCVD機(jī)臺(tái)有30臺(tái),預(yù)計(jì)還要再導(dǎo)入3臺(tái)MOCVD機(jī)臺(tái)。

MOCVD機(jī)臺(tái)的技術(shù)來(lái)看,目前最普遍的機(jī)臺(tái)為一片2/一次6片的機(jī)臺(tái),而未來(lái)走向一片2/一次20片以上的機(jī)臺(tái)以及一片3/一次5片的機(jī)臺(tái),甚至發(fā)展到往4吋及8吋的方向走,只是至少還要3~5年的時(shí)間來(lái)會(huì)發(fā)展成熟。

表八 國(guó)內(nèi)上游LED廠商技術(shù)比較

 

國(guó)聯(lián)

晶電

基板

藍(lán)寶石

藍(lán)寶石

MOCVD機(jī)臺(tái)數(shù)

30臺(tái)+3臺(tái)新進(jìn)機(jī)臺(tái)

7臺(tái)+1臺(tái)新進(jìn)機(jī)臺(tái)

目前產(chǎn)品

AlGaInPAlGaInN、AlGaAs、InGaAs高亮度LED磊晶片及晶粒

AlGaInP、GaInNAlGaAs高亮度LED磊晶片及晶粒

發(fā)展方向

InGaN藍(lán)色及綠色LED晶片及晶粒

HBT元件磊晶片

高速高功率紅色LED晶片及晶粒

DVD光碟機(jī)及通訊LD晶片及晶粒

InGaN藍(lán)色及綠色LED晶片及晶粒

塑膠光纖高速AlGaInP LED晶片及晶粒

CD/DVDLD晶片及晶粒

高功率紫外光GaInN LED

單一半導(dǎo)體型GaInN LED

白光LED研發(fā)

貳、下游關(guān)鍵技術(shù)發(fā)展

下游主要是將晶粒做封裝,製造流程從固晶、打線、壓模、切割、測(cè)試到包裝,封裝的型式有Lamp、數(shù)字顯示型、SMD及、點(diǎn)矩陣型,要用哪一種封裝型式主要是要看用在哪一種應(yīng)用產(chǎn)品上,目前最熱門(mén)的是SMD型封裝,主要是用在可攜式產(chǎn)品上,如手機(jī)、PDA等產(chǎn)品。然而下游封裝有不少的專利技術(shù),因此也有其技術(shù)難度,而封裝的主要重點(diǎn)是在如何提升發(fā)光的效率,因此以下就這個(gè)議題加以探討。

一、封裝技術(shù)難度

封裝的技術(shù)難度在如何耐高電流、具高散熱性及減少晶粒亮度的衰減,其實(shí)電流、阻抗和熱度有密不可分的關(guān)係,當(dāng)電流越大且阻抗越大,則所產(chǎn)生的熱度就越高,因此要找散熱性更佳的材料來(lái)封裝,同理可證,若我們可以把阻抗降低,我們就可以把熱度降低,所以目前正發(fā)展「低接觸阻抗電極」技術(shù),也就是在相同的熱度之下,降低電極阻抗,則可以耐更高的電流。另外在散熱性方面,發(fā)展中的「耐熱抗UV樹(shù)脂材料」可以提升散熱性。在減少晶粒亮度的衰減方面,目前則是發(fā)展「高反射率」的技術(shù),使所發(fā)出的光不會(huì)因基板或封裝材料所吸收,進(jìn)而提高晶粒的亮度。另外,現(xiàn)在產(chǎn)品走向均往輕薄短小來(lái)發(fā)展,因此如何縮小封裝的體積,亦是封裝的重點(diǎn),因此目前SMD是最流行的封裝技術(shù),Flip Chip技術(shù)則是未來(lái)發(fā)展的重點(diǎn)封裝技術(shù)。

二、高效率的螢光體合成法提升白光LED發(fā)光效率

而在白光方面,要讓晶粒產(chǎn)生白光目前主要有兩種方法,一種是把RGB三種顏色混光,或互補(bǔ)色混光來(lái)形成白光;另一種方法與日光燈的發(fā)光方式一樣,就是把藍(lán)光加上黃色螢光粉或紫外光LED加上RGB三波長(zhǎng)螢光粉來(lái)產(chǎn)生白光。就第一種方法而言,目前的技術(shù)關(guān)鍵在RGB全彩白光材料的選擇以及混合比例的方法;而第二種用螢光粉的方法,則關(guān)鍵技術(shù)在高效率的螢光體合成法,也就是如何把螢光粉有效的附著在晶粒上的一項(xiàng)技術(shù)。

三、利用照明設(shè)計(jì)提升白光亮度

在照明設(shè)計(jì)方面,因?yàn)槟壳鞍坠獾牧炼热匀徊蛔,但我們可以利用一些方法?lái)提高白光的亮度,在照明燈具上做一些提高亮度的設(shè)計(jì)是一種可行的方法之一,因此發(fā)展出Array LED配光以及光強(qiáng)度的分佈技術(shù),另外LED發(fā)光會(huì)產(chǎn)生熱能,雖然在封裝時(shí)已利用一些技術(shù)減少發(fā)出的熱能,但當(dāng)許多LED放在一起時(shí),所聚集的熱能仍是很強(qiáng)的,因此如何設(shè)計(jì)燈具系統(tǒng)來(lái)降低熱能也是可發(fā)展的一個(gè)重點(diǎn),因此目前正在發(fā)展「燈具系統(tǒng)散熱及電路設(shè)計(jì)」等技術(shù)。

參、照明光源應(yīng)用

以目前的白光亮度仍然無(wú)法進(jìn)入室內(nèi)照明市場(chǎng),但是已可以在特殊照明市場(chǎng)有一番作為了,所以我們進(jìn)一步了解特殊照明有哪些應(yīng)用範(fàn)圍及未來(lái)白光亮度提升後又有哪些應(yīng)用領(lǐng)域,以下就一般照明及工業(yè)用照明兩部份作一闡述。

由圖二可知,一般照明方面,最簡(jiǎn)單的可從手電筒開(kāi)始作起,接下來(lái)可往店面裝飾燈、橋樑裝飾燈以及庭園燈來(lái)著手;工業(yè)用照明方面,則可從植物栽培燈、手機(jī)背光源及PDA背光源等開(kāi)始著手,我們也觀察到這些應(yīng)用範(fàn)圍目前已經(jīng)有廠商開(kāi)始進(jìn)行。但這樣的應(yīng)用範(fàn)圍始終仍是太過(guò)侷限,成長(zhǎng)到一定程度後會(huì)有所限制,因此要等到白光的亮度達(dá)到100lm/W以上,則可發(fā)展的範(fàn)圍會(huì)擴(kuò)大不少,在一般照明方面則可應(yīng)用到室內(nèi)燈、檯燈及戶外燈,而工業(yè)用照明則會(huì)有投影機(jī)燈源及閃光燈等需強(qiáng)光的應(yīng)用?蓱(yīng)用的範(fàn)圍變得十分廣泛,需求會(huì)急劇增加,這也LED未來(lái)最大的市場(chǎng)。

由以上討論看來(lái),我們認(rèn)為由於磊晶技術(shù)不斷成長(zhǎng),晶片發(fā)光亮度也成倍數(shù)的提升,以藍(lán)光及紫外光晶片所延伸出白光的產(chǎn)品,正逐漸朝向室內(nèi)照明的應(yīng)用,未來(lái)有機(jī)會(huì)取代目前的照明設(shè)備,業(yè)界一般認(rèn)為白光LED照明市場(chǎng)可望在2010年左右趨於成熟,則美國(guó)將有10%的室內(nèi)照明可被LED取代。

 

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