從全球LED大廠在藍(lán)白光LED發(fā)展趨勢(shì)可以看出,目前各廠商開(kāi)始往紫外光加上螢光粉發(fā)出白光來(lái)發(fā)展,而紫外光LED以美國(guó)Cree所做的紫外光LED技術(shù)層級(jí)最高,其發(fā)光效率已達(dá)21 lm/W(目前市售藍(lán)光LED約為4 lm/W)。但以紫外光專利數(shù)來(lái)看,目前研究紫外光LED專利數(shù)目最多的是日本,因此我們認(rèn)為日本的Toyoda Gosel和Nichia在白光亮度後來(lái)居上的機(jī)會(huì)最大。在單價(jià)方面,日本希望持續(xù)降低藍(lán)光LED晶粒的售價(jià)到5元日幣以下,換算臺(tái)幣約1~2元左右,可預(yù)見(jiàn)未來(lái)藍(lán)光LED仍有50%的下降空間。
就國(guó)內(nèi)廠商的技術(shù)方面,國(guó)內(nèi)上游廠商為了生產(chǎn)藍(lán)光LED,所用的基板主要都以藍(lán)寶石為主。若以MOCVD機(jī)臺(tái)數(shù)來(lái)看,國(guó)聯(lián)的機(jī)臺(tái)數(shù)目較多,而未來(lái)MOCVD機(jī)臺(tái)技術(shù)會(huì)往增加片數(shù)(從6片增加到20片)或增加尺吋(4吋或8吋)來(lái)發(fā)展。在下游封裝技術(shù)方面,主要的技術(shù)難度在如何耐高電流、具高散熱性及提高發(fā)光的亮度,所以發(fā)展出「低接觸阻抗電極」、「耐熱抗UV樹(shù)脂材料」來(lái)耐高電流及提高散熱性,並藉「高反射率」、「高效率的螢光體合成法」以及「照明設(shè)計(jì)」等技術(shù)來(lái)提高發(fā)光亮度。
LED技術(shù)簡(jiǎn)介:
壹、發(fā)光二極體(LED)發(fā)光原理
發(fā)光二極體(LED)是利用半導(dǎo)體中電子與電洞結(jié)合時(shí),過(guò)剩的能量會(huì)以光的形式釋放,而不同的材料會(huì)發(fā)出不同的波長(zhǎng),也就會(huì)看到不同顏色的光。由表一可以看到,我們可以藉由混晶比例來(lái)調(diào)整要發(fā)出的波長(zhǎng),但不同材料會(huì)受本身禁制帶寬度的限制,所以能控制的光波長(zhǎng)也有一定的限度。我們由公式及表一得知,當(dāng)禁制帶寬度(El)越大,則發(fā)出的波長(zhǎng)越短,發(fā)光顏色會(huì)偏向藍(lán)光及紫光,而GaN的禁制帶寬度為3.39eV,因此通常用GaN來(lái)做藍(lán)光的磊晶材料。
表一 各材料禁制帶寬度比較
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材料 |
禁制帶寬度(eV) |
發(fā)光波長(zhǎng) |
發(fā)光顏色 |
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GaAs |
1.35 |
940 |
接近紅外線 |
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GaP |
2.26 |
700 |
紅 |
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565 |
綠 |
|
555 |
純綠 |
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GaAs1-xPx/GaAs |
1.42~2.26 |
660 |
紅 |
|
GaAs1-xPx/ GaP |
630 |
紅 |
|
610 |
橙 |
|
590 |
黃 |
|
Ga1-xAlxAs |
1.42~2.26 |
660 |
紅 |
|
GaN |
3.39 |
400 |
藍(lán)、紫 |
貳、白光LED發(fā)光原理
發(fā)出白光的方式主要可分成兩種(見(jiàn)表二),一種是單晶型,這種方式與日光燈的發(fā)光方式一樣,就是把藍(lán)光加上黃色螢光粉或紫外光LED加上RGB三波長(zhǎng)螢光粉來(lái)產(chǎn)生白光。另一種是多晶型,即利用互補(bǔ)的2色或把3原色做混光而形成白光。若採(cǎi)用多晶型的方式,基於不同LED的驅(qū)動(dòng)電壓、發(fā)光輸出、溫度特性及壽命各不相同,因此造成用此方法會(huì)有很多要控制的因素,也使得所產(chǎn)生的成本亦較高;若採(cǎi)用單晶型,則只要用一種元素即可,而且在驅(qū)動(dòng)回路上的設(shè)計(jì)會(huì)較為容易,因此,可以發(fā)現(xiàn)目前多數(shù)廠商較傾向往單晶型的方式來(lái)做研發(fā)的方向。
表二 白光發(fā)光原理
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方式 |
激發(fā)源 |
發(fā)光元素與螢光材料 |
發(fā)光原理 |
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單晶型 |
藍(lán)色LED |
InGaN/YAG黃色螢光粉 |
以藍(lán)色光激發(fā)螢光粉(黃色發(fā)光) |
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紫外光LED |
InGaN/RGB三波長(zhǎng)螢光粉 |
以紫外光激發(fā)RGB螢光粉(原理同螢光燈) |
|
多晶型 |
藍(lán)色LED
黃綠色LED
藍(lán)綠色LED
橙色LED |
InGaN
GaP
AlInGaP |
將互補(bǔ)的2色裝成一組 |
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藍(lán)色LED
綠色LED
紅色LED |
InGaN
AlInGaP
AlGaAs |
將3原色裝成一組 |
參、LED衡量單位簡(jiǎn)介
LED技術(shù)領(lǐng)域可看到許多的衡量單位常常讓人搞不清要如何衡量,因此我們先就這些衡量單位作一個(gè)簡(jiǎn)單的介紹(見(jiàn)表三)。在上游的晶片(Wafer)磊晶的部份,通常會(huì)衡量該晶片磊晶完後的波長(zhǎng)及均勻度等;到晶粒(Chip)部份,則要衡量該晶粒能夠發(fā)的光的亮度如何,因此我們通常用mW或mcd(毫燭光)來(lái)衡量;到下游封裝完後,要衡量封裝完後該LED的亮度則常用cd(燭光)或mcd(毫燭光)來(lái)衡量。而白光照明衡量單位較為特殊,我們常用lm/W(流明/瓦)來(lái)衡量。
表三 LED亮度衡量單位
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產(chǎn)業(yè)鏈 |
項(xiàng)目 |
衡量單位 |
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上游 |
晶片(Wafer) |
衡量波長(zhǎng)、均勻度 |
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中游 |
晶粒(Chip) |
mW或mcd(毫燭光) |
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下游 |
Lamp |
cd(燭光)或mcd(毫燭光) |
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應(yīng)用 |
白光照明 |
lm/W(流明/瓦) |
註:鎢絲燈泡約6lm/W,日光燈約在45 lm/W
壹、LED主要大廠技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)
一、往藍(lán)光、紫外光及白光LED來(lái)發(fā)展
由表四我們可以發(fā)現(xiàn),各廠商主要都先從藍(lán)光LED開(kāi)始研發(fā)及量產(chǎn),有了藍(lán)光的技術(shù)之後再開(kāi)始研發(fā)白光LED,然而目前最常用藍(lán)光加上黃色螢光粉來(lái)產(chǎn)生白光,但是用藍(lán)光LED來(lái)發(fā)白光的發(fā)光效率仍然不足,因此另外一個(gè)方向就是往紫外光LED來(lái)發(fā)展,利用紫外光加RGB三波長(zhǎng)螢光粉來(lái)達(dá)到白光的效果,其發(fā)光效率比藍(lán)光好上許多,研究顯示若發(fā)光波長(zhǎng)能到254nm,則可以不加螢光粉也能自發(fā)白光。目前紫外光LED以美國(guó)Cree所做的紫外光LED技術(shù)層級(jí)最高,已達(dá)21 lm/W(目前市售藍(lán)光LED約為4 lm/W),這樣的研發(fā)進(jìn)度超乎原先預(yù)期,因此預(yù)估白光LED要取代照明很可能在十年內(nèi)發(fā)生。
未來(lái)在照明市場(chǎng)可取得一席之地的國(guó)家,我們以研究紫外光LED專利數(shù)來(lái)觀察,認(rèn)為日本的機(jī)會(huì)最大。就專利數(shù)來(lái)看,日本的專利數(shù)目最多,發(fā)展的專利件數(shù)達(dá)105件,佔(zhàn)全球紫外光LED專利數(shù)的86%,若以各別廠商來(lái)看,可以發(fā)現(xiàn)以Toyoda Gosel和Nichia發(fā)展的最積極,紫外光LED的專利數(shù)分別為15件及11件。若我們仔細(xì)分別這些紫外光LED專利,可以發(fā)現(xiàn)所著重的技術(shù)並不相同,以元件結(jié)構(gòu)的專利比重最大,佔(zhàn)56%,而製程技術(shù)佔(zhàn)19%、元件組裝佔(zhàn)16%、磊晶技術(shù)只佔(zhàn)9%。所以就專利數(shù)來(lái)看,紫外光LED的廠商以Toyoda Gosel和Nichia最有後來(lái)居上的可能。
二、近期發(fā)展藍(lán)光及紫光雷射二極體(LD)
雷射二極體可應(yīng)用的範(fàn)圍很廣,包括光通訊、光儲(chǔ)存、醫(yī)學(xué)、影像記錄及感測(cè)器…等市場(chǎng),目前應(yīng)用領(lǐng)域最主要是光通訊及光儲(chǔ)存。雷射二極體最常見(jiàn)的是紅光LD,而現(xiàn)在最新發(fā)展的是藍(lán)光及紫光LD,藍(lán)光及紫光LD對(duì)儲(chǔ)存媒體的影響很大,可使CD-R及DVD-R有更大的儲(chǔ)存能力,可使DVD儲(chǔ)存能力高達(dá)20GB。因此ELSEVIER該研究單位認(rèn)為從2002年到2005年每年會(huì)有22.5%的複合成長(zhǎng)率,其成長(zhǎng)空間很大。
就技術(shù)能力來(lái)看,紫光LD技術(shù)能力最好的是Nichia,目前已可生產(chǎn)30mW的紫光LD。另外Toyoda Gosel有生產(chǎn)藍(lán)紫光LD發(fā)光功率為3mW,而CREE也有藍(lán)光LD發(fā)光功率約3mW與Toyoda Gosel相差不多。
表四 世界LED大廠技術(shù)動(dòng)向
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廠商 |
技術(shù)動(dòng)向 |
現(xiàn)況及發(fā)展 |
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Nichia |
1989 MOCVD
1993藍(lán)光LED
1995綠光LED
1996白光LED
1997紫外光LED
1998黃光(GaN)LED
1999紫光LD(5mW)
2000紫光LD(30mW) |
.主力產(chǎn)品:擁有InGaN的藍(lán)光及綠光LED專利。
.市場(chǎng):以日本市場(chǎng)為主。
.2001年:白光每月產(chǎn)能9900萬(wàn)顆 |
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Toyoda Gosel |
1986藍(lán)光LED研發(fā)
1995藍(lán)光LED量產(chǎn)(2cd)
1999 Flip Chip
2000紫光LED
2001白光LED
2001藍(lán)紫光LD(3mW)
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.主力產(chǎn)品:專注在InGaN的生產(chǎn)
.白光:與Toshiba合作白光LED,晶粒由Toyoda Gosel製造,封裝則由Toshiba負(fù)責(zé)。
.市場(chǎng):主要銷往汽車用車燈、儀表板被光源及彩色螢?zāi)恍袆?dòng)電話的背光源 |
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LumiLeds |
2001藍(lán)光LED(200mW)
2001白光LED (17lumens)
2002白光LED(5W) |
.主力產(chǎn)品:InGaAlP四元高亮度LED
.2001年:白光每月產(chǎn)能300萬(wàn)顆 |
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CREE |
1989藍(lán)光LED
1998綠光LED
2000成立CREE
2000藍(lán)光LD(3mW)
2001紫外光LED(21lm/W) |
.主力產(chǎn)品:藍(lán)綠光高亮度LED材料及元件,白光LED
.率先發(fā)展SiC基板 |
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OSRAM Opto Semiconductors |
1999ATON Chip(5mW)
2000(8mW)
2001PLED |
.歐洲最大高亮度LED廠商
.以碳化矽(SiC)基板供應(yīng)藍(lán)光LED產(chǎn)品
.市場(chǎng):以歐洲為主,應(yīng)用以汽車方面最重要,目前歐系車廠如:Mercedes、BMW、Audi、Volkswagen為其客戶
.2001年:白光每月產(chǎn)能200萬(wàn)顆 |
貳、各國(guó)未來(lái)LED發(fā)展方向
我們觀察各國(guó)在LED的投入及發(fā)展方向可以發(fā)現(xiàn)(見(jiàn)表五),主要著重在材料以及製程技術(shù)的研發(fā),並且以美國(guó)及日本較為積極,因其訂出的研究項(xiàng)目及技術(shù)指標(biāo)較為明確,投入的資金也相對(duì)較大,參與廠商也是各世界重量級(jí)的廠商,所以我們認(rèn)為在未來(lái)5~10年仍然是以美日在LED市場(chǎng)的領(lǐng)先者。
以各國(guó)規(guī)劃的進(jìn)度來(lái)看,在白光發(fā)光效率方面,因?yàn)榘坠?/SPAN>LED的發(fā)光效率要超過(guò)100lm/W以上才能進(jìn)入廣大的照明市場(chǎng),對(duì)目前的日光燈(約60~100lm/W)才有取代的效果,所以各國(guó)均以達(dá)到100lm/W以上為目標(biāo)。就單價(jià)來(lái)看,日本希望持續(xù)降低藍(lán)光LED晶粒的售價(jià)到5元日幣以下,換算臺(tái)幣約1~2元左右,可預(yù)見(jiàn)未來(lái)藍(lán)光LED仍有50%的下降空間。
表五 各國(guó)未來(lái)十年LED發(fā)展計(jì)劃
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國(guó)家別 |
研究項(xiàng)目 |
白光LED技術(shù)指標(biāo) |
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美國(guó)
2003~2011年
5000萬(wàn)美元
9年
參與廠商:16家 |
.技術(shù)研發(fā)
透明基板
金屬接觸層
有機(jī)發(fā)光材料
MOCVD
元件模板
光粹取出
最佳光亮度
高CRI |
.示範(fàn)推廣
建立新照明業(yè)結(jié)構(gòu)
多晶粒封裝
VCSEL
奈米量子點(diǎn)
提高外部量子效率到200lm/W
低成本製造技術(shù) |
發(fā)光效率 |
2012年:
150lm/W, 1,000lumens |
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壽命 |
>10,000hrs |
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單價(jià) |
<15美元/klm |
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其它 |
CRI(點(diǎn)射性)>80 |
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日本
1998~2003年
12億日幣
5年
參與廠商:13家 |
材料特性發(fā)光機(jī)構(gòu)
結(jié)晶基板
結(jié)晶成長(zhǎng)製程
螢光體及照明燈具
LED燈具標(biāo)準(zhǔn)制訂 |
發(fā)光效率 |
2010年120lm/W |
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壽命 |
>20,000小時(shí) |
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單價(jià) |
<5日幣/chip |
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其它 |
2003~2005年商品化量產(chǎn)
2007~2016年普及化推動(dòng)
外部量子效率>40%,CRI=83 |
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韓國(guó)
1999~2004年
40億韓幣
5年 |
白光LED(藍(lán)光+螢光體)
白光LED(RGB三發(fā)光層,無(wú)螢光體) |
2010年>100 lm/W |
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歐洲
1997~2000年
85.7萬(wàn)歐元
3.5年 |
高亮度戶外照明光源 |
400~590nm,4cd超高亮度藍(lán)光LED
AlInGaN Alloy製程及多層MOCVD材料
降低III族氮化合物磊晶沉積之前製程和III-V族材料比率至100:1
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香港
2001~2004年
550萬(wàn)港幣
3年 |
LED
GaN MOCVD磊晶及製程 |
Flip Chip
封裝 |
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國(guó)內(nèi)技術(shù)狀況:
壹、上中游關(guān)鍵技術(shù)發(fā)展
上中游生產(chǎn)製程如下:LED上游是先從單晶片作為成長(zhǎng)用的基板,再利用各種的磊晶成長(zhǎng)法(如LPE、MOCVD、MBE等)做成磊晶片,把這些磊晶片送給中游製作電極,進(jìn)行平臺(tái)蝕刻後切割磊晶片,最後再將磊晶片崩裂成單顆晶粒。
在LED產(chǎn)業(yè)價(jià)值鍵中,以上游的技術(shù)層次最高,且常面臨專利權(quán)的問(wèn)題,另外,有些原料均需由國(guó)外進(jìn)口,如基板及有機(jī)金屬等,以基板為例,要採(cǎi)用哪一種基板也會(huì)影響後續(xù)要避開(kāi)哪些專利、要使用哪種技術(shù)以及影響產(chǎn)品的亮度及波長(zhǎng)。
以下就一些上中游的關(guān)鍵技術(shù)做詳細(xì)的闡述:
一、基板
現(xiàn)今藍(lán)光LED常用的基板主要有兩種(見(jiàn)表六),一是Nichia所主張藍(lán)寶石,二是Cree所推行的SiC,就成本方面,使用藍(lán)寶石的基板成本較使用SiC高,且硬度較高不易切割,但在穩(wěn)定性與晶格配合上則是藍(lán)寶石優(yōu)於碳化矽,其各自有其優(yōu)缺點(diǎn)。雖然SiC基板價(jià)格較藍(lán)寶石基板貴,但是SiC能以較低的成本形成共振面,所整體成本比藍(lán)寶石低,且其散熱性較佳,磊晶過(guò)程速度也較快,但最大的缺點(diǎn)是先天上與GaN的晶格不符。
國(guó)內(nèi)上游廠商為了生產(chǎn)藍(lán)光LED,所用的基板主要都以藍(lán)寶石為主,主要原因是除了SiC基板與GaN的晶格不符之外,另外是因?yàn)閲?guó)內(nèi)藍(lán)光LED主要是用在手機(jī)上,所以就操作電壓的考量下,進(jìn)而選擇藍(lán)寶石基板。
表六 基板優(yōu)缺點(diǎn)比較表
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優(yōu)點(diǎn) |
缺點(diǎn) |
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藍(lán)寶石 |
穩(wěn)定性佳
晶格配合佳 |
成本較高
不易切割 |
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碳化矽(SiC) |
磊晶過(guò)程速度較快
放熱性較佳
具成本優(yōu)勢(shì) |
基板先天上與GaN晶格不符 |
二、磊晶方法
LED的主要磊晶方法有LPE(液相磊晶法)、VPE(氣相磊晶法)及MOCVD(有機(jī)金屬氣相磊晶法)(見(jiàn)表七)。磊晶關(guān)心的重點(diǎn)有磊晶長(zhǎng)成的速度、量產(chǎn)能力、磊晶薄度及平整度的控制能力如何,由這幾個(gè)方面加以比較我們可以發(fā)現(xiàn),LPE及VPE的磊晶長(zhǎng)成的速度和量產(chǎn)能力較MOCVD佳,但在磊晶薄度及平整度的控制能力就不如MOCVD好,但是MOCVD有成本較高,良率低而且原料取得不易等缺點(diǎn);兑陨弦蛩,造成在不同的產(chǎn)品所應(yīng)用的磊晶方法也不同(見(jiàn)圖一),在傳統(tǒng)亮度的LED上(如GaP、GaAsP及AlGaAs)常用LPE(液相磊晶法),若是高亮度LED(如AlGaInP及GaN等)則要求的品質(zhì)較為嚴(yán)格,因此則要用MOCVD(有機(jī)金屬氣相磊晶法)。
由圖一可知靠氮化物(GaN)為材料的磊晶方式則要藉由MOCVD磊晶技術(shù),因?yàn)槟壳八{(lán)、白光為各家廠商發(fā)展的重點(diǎn),因此氮化物的MOCVD磊晶技術(shù)為主流。而國(guó)內(nèi)上游的上市櫃廠商主要有國(guó)聯(lián)和晶電,以下就國(guó)聯(lián)和晶電所採(cǎi)用的基板及MOCVD機(jī)臺(tái)數(shù)做一比較。
表七 各種磊晶方法比較
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磊晶方法 |
特色 |
優(yōu)點(diǎn) |
缺點(diǎn) |
主要應(yīng)用 |
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LPE
(液相磊晶法) |
以熔融態(tài)的液體材料直接和基板接觸而沉積晶膜 |
操作簡(jiǎn)單
磊晶長(zhǎng)成速度
具量產(chǎn)能力 |
磊晶薄度控制差
磊晶平整度差 |
傳統(tǒng)LED |
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VPE
(氣相磊晶法) |
以氣體或電漿材料傳輸至基板,促使晶格表面粒子凝結(jié)或解離 |
磊晶長(zhǎng)成速度
量產(chǎn)能力尚可 |
磊晶薄度及平整度控制不易 |
傳統(tǒng)LED |
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MOCVD
(有機(jī)金屬氣相磊晶法) |
將有機(jī)金屬以氣體型式擴(kuò)散至基板,促使晶格表面粒子凝結(jié) |
磊晶純度佳
磊晶薄度控制
磊晶平整度佳 |
成本較高
良率低
原料取得不易 |
HB-LED
LD
VCSEL
HBT |
圖一 各材料的磊晶技術(shù)及發(fā)光顏色比較圖
目前藍(lán)光LED仍然供不應(yīng)求,所以國(guó)內(nèi)上游廠商持續(xù)投入MOCVD機(jī)臺(tái)來(lái)擴(kuò)充產(chǎn)能,由表八可知,目前晶電藍(lán)光LED用的MOCVD機(jī)臺(tái)數(shù)有7臺(tái),其中有一次可磊晶6片的,也有11片的MOCVD機(jī)臺(tái),預(yù)計(jì)在10月會(huì)再進(jìn)一臺(tái)20片的MOCVD機(jī)臺(tái)。而國(guó)聯(lián)目前MOCVD機(jī)臺(tái)有30臺(tái),預(yù)計(jì)還要再導(dǎo)入3臺(tái)MOCVD機(jī)臺(tái)。
就MOCVD機(jī)臺(tái)的技術(shù)來(lái)看,目前最普遍的機(jī)臺(tái)為一片2吋/一次6片的機(jī)臺(tái),而未來(lái)走向一片2吋/一次20片以上的機(jī)臺(tái)以及一片3吋/一次5片的機(jī)臺(tái),甚至發(fā)展到往4吋及8吋的方向走,只是至少還要3~5年的時(shí)間來(lái)會(huì)發(fā)展成熟。
表八 國(guó)內(nèi)上游LED廠商技術(shù)比較
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國(guó)聯(lián) |
晶電 |
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基板 |
藍(lán)寶石 |
藍(lán)寶石 |
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MOCVD機(jī)臺(tái)數(shù) |
30臺(tái)+3臺(tái)新進(jìn)機(jī)臺(tái) |
7臺(tái)+1臺(tái)新進(jìn)機(jī)臺(tái) |
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目前產(chǎn)品 |
AlGaInP、AlGaInN、AlGaAs、InGaAs高亮度LED磊晶片及晶粒 |
AlGaInP、GaInN、AlGaAs高亮度LED磊晶片及晶粒 |
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發(fā)展方向 |
InGaN藍(lán)色及綠色LED晶片及晶粒
HBT元件磊晶片
高速高功率紅色LED晶片及晶粒
DVD光碟機(jī)及通訊LD晶片及晶粒 |
InGaN藍(lán)色及綠色LED晶片及晶粒
塑膠光纖高速AlGaInP LED晶片及晶粒
CD/DVD用LD晶片及晶粒
高功率紫外光GaInN LED
單一半導(dǎo)體型GaInN LED
白光LED研發(fā) |
貳、下游關(guān)鍵技術(shù)發(fā)展
下游主要是將晶粒做封裝,製造流程從固晶、打線、壓模、切割、測(cè)試到包裝,封裝的型式有Lamp、數(shù)字顯示型、SMD及、點(diǎn)矩陣型,要用哪一種封裝型式主要是要看用在哪一種應(yīng)用產(chǎn)品上,目前最熱門(mén)的是SMD型封裝,主要是用在可攜式產(chǎn)品上,如手機(jī)、PDA等產(chǎn)品。然而下游封裝有不少的專利技術(shù),因此也有其技術(shù)難度,而封裝的主要重點(diǎn)是在如何提升發(fā)光的效率,因此以下就這個(gè)議題加以探討。
一、封裝技術(shù)難度
封裝的技術(shù)難度在如何耐高電流、具高散熱性及減少晶粒亮度的衰減,其實(shí)電流、阻抗和熱度有密不可分的關(guān)係,當(dāng)電流越大且阻抗越大,則所產(chǎn)生的熱度就越高,因此要找散熱性更佳的材料來(lái)封裝,同理可證,若我們可以把阻抗降低,我們就可以把熱度降低,所以目前正發(fā)展「低接觸阻抗電極」技術(shù),也就是在相同的熱度之下,降低電極阻抗,則可以耐更高的電流。另外在散熱性方面,發(fā)展中的「耐熱抗UV樹(shù)脂材料」可以提升散熱性。在減少晶粒亮度的衰減方面,目前則是發(fā)展「高反射率」的技術(shù),使所發(fā)出的光不會(huì)因基板或封裝材料所吸收,進(jìn)而提高晶粒的亮度。另外,現(xiàn)在產(chǎn)品走向均往輕薄短小來(lái)發(fā)展,因此如何縮小封裝的體積,亦是封裝的重點(diǎn),因此目前SMD是最流行的封裝技術(shù),Flip Chip技術(shù)則是未來(lái)發(fā)展的重點(diǎn)封裝技術(shù)。
二、高效率的螢光體合成法提升白光LED發(fā)光效率
而在白光方面,要讓晶粒產(chǎn)生白光目前主要有兩種方法,一種是把RGB三種顏色混光,或互補(bǔ)色混光來(lái)形成白光;另一種方法與日光燈的發(fā)光方式一樣,就是把藍(lán)光加上黃色螢光粉或紫外光LED加上RGB三波長(zhǎng)螢光粉來(lái)產(chǎn)生白光。就第一種方法而言,目前的技術(shù)關(guān)鍵在RGB全彩白光材料的選擇以及混合比例的方法;而第二種用螢光粉的方法,則關(guān)鍵技術(shù)在高效率的螢光體合成法,也就是如何把螢光粉有效的附著在晶粒上的一項(xiàng)技術(shù)。
三、利用照明設(shè)計(jì)提升白光亮度
在照明設(shè)計(jì)方面,因?yàn)槟壳鞍坠獾牧炼热匀徊蛔,但我們可以利用一些方法?lái)提高白光的亮度,在照明燈具上做一些提高亮度的設(shè)計(jì)是一種可行的方法之一,因此發(fā)展出Array LED配光以及光強(qiáng)度的分佈技術(shù),另外LED發(fā)光會(huì)產(chǎn)生熱能,雖然在封裝時(shí)已利用一些技術(shù)減少發(fā)出的熱能,但當(dāng)許多LED放在一起時(shí),所聚集的熱能仍是很強(qiáng)的,因此如何設(shè)計(jì)燈具系統(tǒng)來(lái)降低熱能也是可發(fā)展的一個(gè)重點(diǎn),因此目前正在發(fā)展「燈具系統(tǒng)散熱及電路設(shè)計(jì)」等技術(shù)。
參、照明光源應(yīng)用
以目前的白光亮度仍然無(wú)法進(jìn)入室內(nèi)照明市場(chǎng),但是已可以在特殊照明市場(chǎng)有一番作為了,所以我們進(jìn)一步了解特殊照明有哪些應(yīng)用範(fàn)圍及未來(lái)白光亮度提升後又有哪些應(yīng)用領(lǐng)域,以下就一般照明及工業(yè)用照明兩部份作一闡述。
由圖二可知,一般照明方面,最簡(jiǎn)單的可從手電筒開(kāi)始作起,接下來(lái)可往店面裝飾燈、橋樑裝飾燈以及庭園燈來(lái)著手;工業(yè)用照明方面,則可從植物栽培燈、手機(jī)背光源及PDA背光源等開(kāi)始著手,我們也觀察到這些應(yīng)用範(fàn)圍目前已經(jīng)有廠商開(kāi)始進(jìn)行。但這樣的應(yīng)用範(fàn)圍始終仍是太過(guò)侷限,成長(zhǎng)到一定程度後會(huì)有所限制,因此要等到白光的亮度達(dá)到100lm/W以上,則可發(fā)展的範(fàn)圍會(huì)擴(kuò)大不少,在一般照明方面則可應(yīng)用到室內(nèi)燈、檯燈及戶外燈,而工業(yè)用照明則會(huì)有投影機(jī)燈源及閃光燈等需強(qiáng)光的應(yīng)用?蓱(yīng)用的範(fàn)圍變得十分廣泛,需求會(huì)急劇增加,這也LED未來(lái)最大的市場(chǎng)。
由以上討論看來(lái),我們認(rèn)為由於磊晶技術(shù)不斷成長(zhǎng),晶片發(fā)光亮度也成倍數(shù)的提升,以藍(lán)光及紫外光晶片所延伸出白光的產(chǎn)品,正逐漸朝向室內(nèi)照明的應(yīng)用,未來(lái)有機(jī)會(huì)取代目前的照明設(shè)備,業(yè)界一般認(rèn)為白光LED照明市場(chǎng)可望在2010年左右趨於成熟,則美國(guó)將有10%的室內(nèi)照明可被LED取代。 |